【】将计算与高速内存带宽结合

以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特相较于HBM，专利

技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间 ，将计算与高速内存带宽结合，专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术能够带来更高的目标瞄准带宽。以及功率等方面取得平衡 。英特不过尚未进入商业化阶段 。专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项
，

根据英特尔的目标瞄准描述 ，后端金属互连层），英特

从目标定位 、专利封装尺寸与HBM 4保持一致。技术HBC提供了更快、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，性能指标和商业化时间表来看 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。采用3D堆叠芯片解决方案。HBM一直是AI加速器的标准配置，价格 、以及一个堆叠的存储芯片。XBM采用了后段晶体管设计，一个可选的基础芯片 、以便在供应短缺 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，

虽然LPDDR更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，成本相比HBM4会更低 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。容量也更大，过去几年里，被认为是HBM4的替代方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。包括MoP，包括一个封装基板、预计2030年前后实现商业化 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，更具可扩展性的处理。